스킬캠퍼스

오늘 끝나면

트랜지스터 (BJT)

  • 트랜지스터 (BJT)의 핵심 문제를 한 문장으로 설명한다
  • 오른쪽 실습에서 트랜지스터이 어떻게 움직이는지 관찰한다
  • 다음 강의와 이어지는 한계를 말할 수 있다

실습 미션

작은 전류로 큰 전류를 — 증폭과 스위치 이 문장이 실제로 무슨 뜻인지 실습에서 한 번 손으로 확인한다.

성공 조건

  • 실습의 기본값을 먼저 관찰
  • 입력값이나 모드를 한 번 이상 바꿔 결과 비교
  • 왜 결과가 바뀌었는지 한 문장으로 설명

회로 · 15

트랜지스터
(BJT)

작은 베이스 전류로 큰 컬렉터 전류를 제어하는 부품이다.
그 배율이 전류이득 β이고, 이것으로 증폭과 스위치를 모두 한다.

P.01회로 · 15

작은 전류로 큰 전류를 제어한다

BJT는 단자가 셋이다. 베이스(B), 컬렉터(C), 이미터(E)다. 핵심은 베이스에 흘리는 작은 전류가 컬렉터의 큰 전류를 여닫는다는 점이다.

비유하면 수도꼭지다. 손가락 힘(베이스 전류)은 작지만, 그 힘으로 굵은 수도관의 물줄기(컬렉터 전류)를 통째로 조절한다.
밸브를 직접 미는 게 아니라 흐름을 “허락”하는 방식이다.

전류는 컬렉터에서 이미터로 흐른다. 베이스는 그 길을 얼마나 열지 정하는 작은 손잡이다.
베이스 전류가 0이면 길이 닫혀 컬렉터도 0이고, 베이스 전류가 늘면 길이 넓어져 컬렉터가 그만큼 더 흐른다.

즉 BJT는 전류로 전류를 제어하는 부품이다.

베이스 한 방울 → 컬렉터 한 양동이
단자 셋, 베이스가 컬렉터와 이미터의 흐름을 연다
C 컬렉터E 이미터B베이스
작은 손잡이
베이스 전류 I_B
굵은 물줄기
컬렉터 전류 I_C
P.02회로 · 15

전류이득 β, I_C = β·I_B

제어가 얼마나 센지를 한 숫자로 압축한 것이 전류이득 β(베타)다. 정의는 I_C = β × I_B.

β는 보통 50~300 사이다. β=100이면 베이스에 1µA를 흘릴 때 컬렉터에는 100µA가 흐른다. 베이스 전류를 100배로 부풀려 컬렉터로 내보내는 셈이다.
데이터시트에는 같은 값이 h_FE로도 적혀 있는데, 둘은 사실상 같은 말이다.

전체 흐름은 키르히호프로 닫힌다. I_E = I_C + I_B다.
컬렉터로 들어온 큰 전류와 베이스로 들어온 작은 전류가 이미터에서 합쳐져 빠져나간다.

그래서 β가 클수록 같은 베이스 전류로 더 큰 컬렉터 전류를 얻는다. 증폭의 세기가 곧 β다.
다만 β는 온도와 소자마다 들쭉날쭉해서, 실무 회로는 β에만 기대지 않게 설계한다.

베이스를 키운 만큼 컬렉터가 β배로
I_C = β × I_B (예: β = 100)
I_B 1µA
I_C 100µA
I_B 2µA
I_C 200µA
I_B 3µA
I_C 300µA
I_E = I_C + I_B컬렉터와 베이스가 이미터로 합쳐져 나간다 (키르히호프)
P.03회로 · 15

베이스를 흔들면 컬렉터가 따라온다

베이스 전류를 키우면 I_C가 β배로 따라 커진다.

가는 막대(µA)를 한 칸 올리면 굵은 막대(mA)가 β배만큼 솟는다. β를 키우면 같은 베이스 전류로도 컬렉터가 더 크게 뛴다. 증폭 배율 자체가 β다.

출력 전압은 Vout = Vcc − I_C·Rc로 따라 움직인다.
컬렉터 전류가 커질수록 Rc에서 더 많이 깎여 Vout이 끌려 내려간다. 입력이 오르면 출력이 내려가는 반전 증폭이 여기서 나온다.

단, I_C는 무한정 커지지 않는다. 회로가 흘릴 수 있는 한계 I_C(sat) = Vcc/Rc에 닿으면 거기서 막힌다. 이 상태가 포화다.

I_B 슬라이더 → I_C가 β배로 증폭
BJT 전류 증폭 · 직접 흔들기
+VccI_CI_B베이스I_E증폭
베이스 전류 I_B20 µA
컬렉터 전류 I_C2 mA
= β × I_B = 100 × 0.02mA

작은 막대(µA) 한 칸이 큰 막대(mA)를 끌어올린다. 전류 증폭

베이스 전류 I_B20 µA
전류이득 β (h_FE)100
동작 영역활성 · 증폭
출력 Vout = Vcc − I_C·Rc3 V

I_B를 키운 만큼 I_C가 β배로 따라 커지는 선형 증폭 구간이다.

I_B
20µA
×β
×100
I_C
2mA

베이스 전류 한 방울 → 컬렉터 전류 한 양동이

P.04회로 · 15

스위치냐 증폭이냐, 같은 부품 다른 동작점

같은 BJT라도 어느 영역에서 쓰느냐로 역할이 갈린다. 영역은 셋이다. 차단, 활성, 포화다.

차단(cutoff)은 베이스 전류 0에 컬렉터 0이다. 길이 완전히 닫힌다. 스위치 OFF, Vout=Vcc다.
활성(active)은 I_C=β·I_B가 성립하는 선형 구간이다. 여기서 증폭한다.
포화(saturation)는 베이스를 충분히 세게 밀어 컬렉터가 한계까지 도통한 상태다. 스위치 ON, Vout≈0이다.

증폭기는 활성영역 한가운데에 동작점을 잡아두고 입력을 그 위에서 작게 흔든다. 출력이 선형으로 따라온다.
스위치는 활성을 빠르게 건너뛰어 차단과 포화만 오간다. 0과 1, 꺼짐과 켜짐만 쓴다.

그래서 BJT 하나로 오디오 증폭도, 디지털 ON/OFF도 한다. 회로가 부품을 어느 동작점에 두느냐의 차이일 뿐이다.

차단 · 활성 · 포화 세 영역
출력특성, I_C vs V_CE
I_CV_CE포화활성 (증폭)차단 I_B=0
차단
OFF
활성
증폭
포화
ON
P.05회로 · 15

정리, 트랜지스터라는 고전

BJT는 외울 게 많아 보여도 한 줄로 압축된다.
작은 베이스 전류로 큰 컬렉터 전류를 제어한다. I_C = β·I_B다.

이 한 가지가 20세기 전자공학을 바꿨다. 진공관을 밀어내고 라디오, 컴퓨터, 모든 전자기기를 작고 싸게 만든 게 트랜지스터다. 그래서 회로의 고전이다.

증폭이 필요하면 활성영역, 켜고 끄는 게 필요하면 차단과 포화를 쓴다. 같은 부품을 동작점만 바꿔 두 일을 다 한다.

Q. BJT에서 베이스 전류를 키우면 컬렉터 전류는? (그대로 · β배로 커짐 · 반대로 줄어듦)정답은 β배로 커짐이다.
활성영역에서 I_C = β × I_B가 성립하므로, 베이스 전류 I_B를 키운 만큼 컬렉터 전류 I_C도 β배 비율로 따라 커진다.
단 끝없이 늘지는 않는다. 회로 한계 I_C(sat)=Vcc/Rc에 닿으면 포화로 막혀 더는 안 늘어난다(완전히 켜진 상태).
작은 입력으로 센 출력을 쥐다
BJT 한 장 정리
I_C = β·I_B베이스 전류로 컬렉터 전류 제어
β (h_FE)전류이득, 보통 50~300
I_E = I_C + I_B키르히호프로 닫힌다
활성영역I_C=β·I_B 선형, 증폭
차단 ↔ 포화OFF ↔ ON, 스위치

증폭도 스위치도 같은 부품, 동작점만 다르다

3줄 요약

  1. 1작은 전류로 큰 전류를 — 증폭과 스위치
  2. 2트랜지스터 (BJT)은 기초 → R·L·C → 교류·필터 → 반도체 소자 → 디지털·실물 흐름 안의 한 칸이다.
  3. 3개념을 외우는 것보다 입력을 바꾸면 무엇이 달라지는지 보는 것이 우선이다.

완료 전 점검

복습 카드

트랜지스터

작은 전류로 큰 전류를 — 증폭과 스위치

전압

전하를 밀어내는 힘(전위차)

전류

단위 시간에 흐르는 전하의 양